SQJ411EP-T1_GE3 - MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Número da peça de fabricante

SQJ411EP-T1_GE3

Número de peça interno

ABC-SQJ411EP-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1032255 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.317095~~

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Especificações para SQJ411EP-T1_GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SQJ411EP-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9100pF @ 6V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 68W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8

Pacote / caso : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SQJ41 , SQJ411E

Documentos para SQJ411EP-T1_GE3

Folhas de dados : SQJ411EP-T1_GE3.pdf

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