MT41K256M16V90BWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Número da peça de fabricante

MT41K256M16V90BWC1

Número de peça interno

ABC-MT41K256M16V90BWC1

Fabricante

Micron Technology Inc.

Descrição breve

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

90016 Pieces

Preço de referência

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Especificações para MT41K256M16V90BWC1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : MT41K256M16V90BWC1

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descrição : IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo de memória : Volatile

Formato de memória : DRAM

Tecnologia : SDRAM - DDR3L

Tamanho da memória : 4Gb (256M x 16)

Freqüência do relógio : -

Escrever tempo de ciclo - Word, página : -

Tempo de acesso : -

Interface de memória : Parallel

Tensão - fonte : 1.283V ~ 1.45V

Temperatura de operação : 0°C ~ 95°C (TC)

Tipo de montagem : -

Pacote / caso : -

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : MT41K2 , MT41K256M

Documentos para MT41K256M16V90BWC1

Folhas de dados : MT41K256M16V90BWC1.pdf

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