SISH407DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212

Número da peça de fabricante

SISH407DN-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SISH407DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1716526 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.19069~~

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Especificações para SISH407DN-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SISH407DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15.4A (Ta), 25A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 93.8nC @ 8V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2760pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8SH

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8SH

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SISH4 , SISH407D

Documentos para SISH407DN-T1-GE3

Folhas de dados : SISH407DN-T1-GE3.pdf

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