TJ50S06M3L(T6L1,NQ - MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3

Número da peça de fabricante

TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Número de peça interno

ABC-TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

820358 Pieces

Preço de referência

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Especificações para TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3

Series : U-MOSVI

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V

Vgs (máx.) : +10V, -20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6290pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 90W (Tc)

Temperatura de operação : 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK+

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TJ50S0 , TJ50S06M3

Documentos para TJ50S06M3L(T6L1,NQ

Folhas de dados : TJ50S06M3L(T6L1,NQ.pdf

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