SQJ431AEP-T1_GE3 - MOSFET P-CHAN 200V

Número da peça de fabricante

SQJ431AEP-T1_GE3

Número de peça interno

ABC-SQJ431AEP-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CHAN 200V

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

822535 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.397945~~

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Especificações para SQJ431AEP-T1_GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SQJ431AEP-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CHAN 200V

Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 305 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3700pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 68W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SQJ43 , SQJ431AE

Documentos para SQJ431AEP-T1_GE3

Folhas de dados : SQJ431AEP-T1_GE3.pdf

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