NP100P06PDG-E1-AY - MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
50336 Pieces
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Especificações para NP100P06PDG-E1-AY

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : NP100P06PDG-E1-AY
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : NP100 , NP100P06

Documentos para NP100P06PDG-E1-AY

Folhas de dados : NP100P06PDG-E1-AY.pdf

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