NP100P06PDG-E1-AY - MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Número da peça de fabricante

NP100P06PDG-E1-AY

Número de peça interno

ABC-NP100P06PDG-E1-AY

Fabricante

Renesas Electronics America

Descrição breve

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

50336 Pieces

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Especificações para NP100P06PDG-E1-AY

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : NP100P06PDG-E1-AY

Fabricante : Renesas Electronics America

Descrição : MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta), 200W (Tc)

Temperatura de operação : 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : NP100 , NP100P06

Documentos para NP100P06PDG-E1-AY

Folhas de dados : NP100P06PDG-E1-AY.pdf

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