SI7962DP-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Número da peça de fabricante

SI7962DP-T1-E3

Número de peça interno

ABC-SI7962DP-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

324674 Pieces

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Especificações para SI7962DP-T1-E3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI7962DP-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Standard

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potência - Max : 1.4W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : PowerPAK® SO-8 Dual

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI79 , SI7962D

Documentos para SI7962DP-T1-E3

Folhas de dados : SI7962DP-T1-E3.pdf

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