SI5513DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Número da peça de fabricante

SI5513DC-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SI5513DC-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

54041 Pieces

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Especificações para SI5513DC-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI5513DC-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Recurso FET : Logic Level Gate

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potência - Max : 1.1W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 1206-8 ChipFET™

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI551 , SI5513D

Documentos para SI5513DC-T1-GE3

Folhas de dados : SI5513DC-T1-GE3.pdf

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