SQJQ100E-T1_GE3 - MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Número da peça de fabricante

SQJQ100E-T1_GE3

Número de peça interno

ABC-SQJQ100E-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

418838 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.7815~~

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Especificações para SQJQ100E-T1_GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SQJQ100E-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14780pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 8 x 8

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SQJQ1 , SQJQ100

Documentos para SQJQ100E-T1_GE3

Folhas de dados : SQJQ100E-T1_GE3.pdf

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