W987D2HBJX7E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Número da peça de fabricante

W987D2HBJX7E TR

Número de peça interno

ABC-W987D2HBJX7E TR

Fabricante

Winbond Electronics

Descrição breve

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

333284 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.091955~~

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Especificações para W987D2HBJX7E TR

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : W987D2HBJX7E TR

Fabricante : Winbond Electronics

Descrição : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Series : -

Status da Peça : Not For New Designs

Tipo de memória : Volatile

Formato de memória : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPSDR

Tamanho da memória : 128Mb (4M x 32)

Freqüência do relógio : 133MHz

Escrever tempo de ciclo - Word, página : 15ns

Tempo de acesso : 5.4ns

Interface de memória : Parallel

Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V

Temperatura de operação : -25°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 90-TFBGA

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 90-VFBGA (8x13)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : W987D , W987D2H

Documentos para W987D2HBJX7E TR

Folhas de dados : W987D2HBJX7E TR.pdf

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