SIA429DJT-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Número da peça de fabricante

SIA429DJT-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SIA429DJT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2686509 Pieces

Preço de referência

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Especificações para SIA429DJT-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIA429DJT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20.5 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 8V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1750pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacote / caso : PowerPAK® SC-70-6

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIA42 , SIA429DJ

Documentos para SIA429DJT-T1-GE3

Folhas de dados : SIA429DJT-T1-GE3.pdf

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