EPC2100ENG - GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

Número da peça de fabricante

EPC2100ENG

Número de peça interno

ABC-EPC2100ENG

Fabricante

EPC

Descrição breve

GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

52884 Pieces

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Especificações para EPC2100ENG

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : EPC2100ENG

Fabricante : EPC

Descrição : GAN TRANS 2N-CH 30V BUMPED DIE

Series : eGaN®

Status da Peça : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Potência - Max : -

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : Die

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : EPC , EPC21

Documentos para EPC2100ENG

Folhas de dados : EPC2100ENG.pdf

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