VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
59181 Pieces
Preço de referência
USD 178.680835
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Especificações para VS-GB100TH120N

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : VS-GB100TH120N
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 200A
Potência - Max : 833W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 8.58nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Double INT-A-PAK
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : VS-G , VS-GB10

Documentos para VS-GB100TH120N

Folhas de dados : VS-GB100TH120N.pdf

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