TPN4R203NC,L1Q - MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Número da peça de fabricante

TPN4R203NC,L1Q

Número de peça interno

ABC-TPN4R203NC,L1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1563898 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.2093~~

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Especificações para TPN4R203NC,L1Q

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TPN4R203NC,L1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Series : U-MOSVIII

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1370pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta), 22W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TPN4 , TPN4R20

Documentos para TPN4R203NC,L1Q

Folhas de dados : TPN4R203NC,L1Q.pdf

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