FQD7N10LTM - MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Número da peça de fabricante

FQD7N10LTM

Número de peça interno

ABC-FQD7N10LTM

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2490103 Pieces

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Especificações para FQD7N10LTM

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FQD7N10LTM

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Series : QFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FQD , FQD7N

Documentos para FQD7N10LTM

Folhas de dados : FQD7N10LTM.pdf

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