SQJ960EP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 8A

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 60V 8A
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
583534 Pieces
Preço de referência
USD 0.56093
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Especificações para SQJ960EP-T1_GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SQJ960EP-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 8A
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 735pF @ 25V
Potência - Max : 34W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8 Dual
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : SQJ96 , SQJ960E

Documentos para SQJ960EP-T1_GE3

Folhas de dados : SQJ960EP-T1_GE3.pdf

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