RQ3E100BNTB - MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Número da peça de fabricante

RQ3E100BNTB

Número de peça interno

ABC-RQ3E100BNTB

Fabricante

Rohm Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

6103951 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.053625~~

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Especificações para RQ3E100BNTB

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : RQ3E100BNTB

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSMT (3.2x3)

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : RQ3 , RQ3E1

Documentos para RQ3E100BNTB

Folhas de dados : RQ3E100BNTB.pdf

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