CSD19536KTTT - MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Número da peça de fabricante

CSD19536KTTT

Número de peça interno

ABC-CSD19536KTTT

Fabricante

T-I

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

170752 Pieces

Preço de referência

~~USD 2.1907~~

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Especificações para CSD19536KTTT

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : CSD19536KTTT

Fabricante : T-I

Descrição : MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Series : NexFET™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 153nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DDPAK/TO-263-3

Pacote / caso : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : CSD1 , CSD195

Documentos para CSD19536KTTT

Folhas de dados : CSD19536KTTT.pdf

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