TK31J60W,S1VQ - MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

Número da peça de fabricante

TK31J60W,S1VQ

Número de peça interno

ABC-TK31J60W,S1VQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

88536 Pieces

Preço de referência

~~USD 4.225~~

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Especificações para TK31J60W,S1VQ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TK31J60W,S1VQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

Series : DTMOSIV

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30.8A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V

Recurso FET : Super Junction

Dissipação de energia (máx.) : 230W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P(N)

Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TK31 , TK31J6

Documentos para TK31J60W,S1VQ

Folhas de dados : TK31J60W,S1VQ.pdf

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