RS1E200GNTB - MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Número da peça de fabricante

RS1E200GNTB

Número de peça interno

ABC-RS1E200GNTB

Fabricante

Rohm Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2414342 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.135575~~

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Especificações para RS1E200GNTB

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : RS1E200GNTB

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16.8nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta), 25.1W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSOP

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : RS1 , RS1E2

Documentos para RS1E200GNTB

Folhas de dados : RS1E200GNTB.pdf

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