EPC2012 - GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Número da peça de fabricante

EPC2012

Número de peça interno

ABC-EPC2012

Fabricante

EPC

Descrição breve

GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

40288 Pieces

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Especificações para EPC2012

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : EPC2012

Fabricante : EPC

Descrição : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Series : eGaN®

Status da Peça : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (máx.) : +6V, -5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : -

Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die

Pacote / caso : Die

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : EP , EPC

Documentos para EPC2012

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