FQA13N80-F109 - MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P

Número da peça de fabricante

FQA13N80-F109

Número de peça interno

ABC-FQA13N80-F109

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

121448 Pieces

Preço de referência

~~USD 3.08~~

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Especificações para FQA13N80-F109

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FQA13N80-F109

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P

Series : QFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN

Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FQA1 , FQA13N

Documentos para FQA13N80-F109

Folhas de dados : FQA13N80-F109.pdf

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