SQJ872EP-T1_GE3 - MOSFET N-CHAN 150V

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CHAN 150V
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1032255 Pieces
Preço de referência
USD 0.317095
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Especificações para SQJ872EP-T1_GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CHAN 150V
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1045pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 55W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : SQJ87 , SQJ872E

Documentos para SQJ872EP-T1_GE3

Folhas de dados : SQJ872EP-T1_GE3.pdf

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