TRS8E65C,S1Q - DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-TRS8E65C,S1Q
Fabricante
Descrição breve
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
99976 Pieces
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Especificações para TRS8E65C,S1Q
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TRS8E65C,S1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 90µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F : 44pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-2L
Temperatura de funcionamento - junção : 175°C (Max)
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TRS8E65C,S1Q
Folhas de dados : TRS8E65C,S1Q.pdf
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