HUF76609D3ST - MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Número da peça de fabricante

HUF76609D3ST

Número de peça interno

ABC-HUF76609D3ST

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1579669 Pieces

Preço de referência

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Especificações para HUF76609D3ST

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : HUF76609D3ST

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Series : UltraFET™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±16V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 425pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 49W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252AA

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : HUF7 , HUF766

Documentos para HUF76609D3ST

Folhas de dados : HUF76609D3ST.pdf

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