SI1404BDH-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Número da peça de fabricante

SI1404BDH-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SI1404BDH-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2736251 Pieces

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Especificações para SI1404BDH-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI1404BDH-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-70-6 (SOT-363)

Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI140 , SI1404BD

Documentos para SI1404BDH-T1-GE3

Folhas de dados : SI1404BDH-T1-GE3.pdf

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