TP65H050WS - GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Número da peça de fabricante

TP65H050WS

Número de peça interno

ABC-TP65H050WS

Fabricante

Transphorm

Descrição breve

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

75075 Pieces

Preço de referência

~~USD 8.095~~

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Especificações para TP65H050WS

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TP65H050WS

Fabricante : Transphorm

Descrição : GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 12V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 700µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 400V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 119W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3

Pacote / caso : TO-247-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TP6 , TP65H

Documentos para TP65H050WS

Folhas de dados : TP65H050WS.pdf

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