TPW4R008NH,L1Q - MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Número da peça de fabricante

TPW4R008NH,L1Q

Número de peça interno

ABC-TPW4R008NH,L1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

799323 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.4095~~

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Especificações para TPW4R008NH,L1Q

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TPW4R008NH,L1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

Series : U-MOSVIII-H

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 116A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 40V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 800mW (Ta), 142W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-DSOP Advance

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TPW4 , TPW4R00

Documentos para TPW4R008NH,L1Q

Folhas de dados : TPW4R008NH,L1Q.pdf

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