SIDR610DP-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Número da peça de fabricante

SIDR610DP-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SIDR610DP-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

340928 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.960075~~

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Especificações para SIDR610DP-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIDR610DP-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1380pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8DC

Pacote / caso : PowerPAK® SO-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIDR6 , SIDR610D

Documentos para SIDR610DP-T1-GE3

Folhas de dados : SIDR610DP-T1-GE3.pdf

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