FDP8D5N10C - FET ENGR DEV-NOT REL

Número da peça de fabricante

FDP8D5N10C

Número de peça interno

ABC-FDP8D5N10C

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

FET ENGR DEV-NOT REL

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

279020 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.17307~~

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Especificações para FDP8D5N10C

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDP8D5N10C

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : FET ENGR DEV-NOT REL

Series : PowerTrench®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2475pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta), 107W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3

Pacote / caso : TO-220-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FDP , FDP8D

Documentos para FDP8D5N10C

Folhas de dados : FDP8D5N10C.pdf

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