NDD03N80Z-1G - MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Número da peça de fabricante

NDD03N80Z-1G

Número de peça interno

ABC-NDD03N80Z-1G

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

87264 Pieces

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Especificações para NDD03N80Z-1G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : NDD03N80Z-1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 96W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK

Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : NDD0 , NDD03N

Documentos para NDD03N80Z-1G

Folhas de dados : NDD03N80Z-1G.pdf

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