APTM100DA33T1G - MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Número da peça de fabricante

APTM100DA33T1G

Número de peça interno

ABC-APTM100DA33T1G

Fabricante

Microsemi Corporation

Descrição breve

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

39494 Pieces

Preço de referência

~~USD 15.3827~~

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Especificações para APTM100DA33T1G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : APTM100DA33T1G

Fabricante : Microsemi Corporation

Descrição : MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 396 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 305nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7868pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 390W (Tc)

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Chassis Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1

Pacote / caso : SP1

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : APTM , APTM100

Documentos para APTM100DA33T1G

Folhas de dados : APTM100DA33T1G.pdf

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