SPB18P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Número da peça de fabricante

SPB18P06PGATMA1

Número de peça interno

ABC-SPB18P06PGATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1129072 Pieces

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~~USD 0.289905~~

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Especificações para SPB18P06PGATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SPB18P06PGATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Series : SIPMOS®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18.7A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 81.1W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SPB18 , SPB18P0

Documentos para SPB18P06PGATMA1

Folhas de dados : SPB18P06PGATMA1.pdf

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