FDI3632 - MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Número da peça de fabricante

FDI3632

Número de peça interno

ABC-FDI3632

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

110896 Pieces

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Especificações para FDI3632

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDI3632

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Series : PowerTrench®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 80A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 310W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK (TO-262)

Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FD , FDI

Documentos para FDI3632

Folhas de dados : FDI3632.pdf

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