SI3451DV-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

Número da peça de fabricante

SI3451DV-T1-E3

Número de peça interno

ABC-SI3451DV-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

27795 Pieces

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Especificações para SI3451DV-T1-E3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI3451DV-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.1nC @ 5V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP

Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI34 , SI3451D

Documentos para SI3451DV-T1-E3

Folhas de dados : SI3451DV-T1-E3.pdf

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