FDB86563-F085 - MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Número da peça de fabricante

FDB86563-F085

Número de peça interno

ABC-FDB86563-F085

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

360150 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.90882~~

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Especificações para FDB86563-F085

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDB86563-F085

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 163nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10100pF @ 30V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 333W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FDB8 , FDB865

Documentos para FDB86563-F085

Folhas de dados : FDB86563-F085.pdf

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