SI5511DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-SI5511DC-T1-GE3
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
53989 Pieces
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Especificações para SI5511DC-T1-GE3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI5511DC-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V
Potência - Max : 3.1W, 2.6W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 1206-8 ChipFET™
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SI5511DC-T1-GE3
Folhas de dados : SI5511DC-T1-GE3.pdf
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