PMWD19UN,518 - MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Número da peça de fabricante

PMWD19UN,518

Número de peça interno

ABC-PMWD19UN,518

Fabricante

NXP USA Inc.

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

49062 Pieces

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Especificações para PMWD19UN,518

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : PMWD19UN,518

Fabricante : NXP USA Inc.

Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Series : TrenchMOS™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Logic Level Gate

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1478pF @ 10V

Potência - Max : 2.3W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSSOP

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : PMWD , PMWD19

Documentos para PMWD19UN,518

Folhas de dados : PMWD19UN,518.pdf

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