IXFT12N100F - MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Número da peça de fabricante

IXFT12N100F

Número de peça interno

ABC-IXFT12N100F

Fabricante

IXYS-RF

Descrição breve

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

70128 Pieces

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~~USD 6~~

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Especificações para IXFT12N100F

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IXFT12N100F

Fabricante : IXYS-RF

Descrição : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Series : HiPerRF™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268 (IXFT)

Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IXF , IXFT1

Documentos para IXFT12N100F

Folhas de dados : IXFT12N100F.pdf

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