SI3585DV-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
53976 Pieces
Preço de referência
USD 0
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Especificações para SI3585DV-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI3585DV-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potência - Max : 830mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : SI358 , SI3585D

Documentos para SI3585DV-T1-GE3

Folhas de dados : SI3585DV-T1-GE3.pdf

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