PMXB65UPEZ - MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
7339115 Pieces
Preço de referência
USD 0.0446
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Especificações para PMXB65UPEZ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : PMXB65UPEZ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN1010D-3
Pacote / caso : 3-XDFN Exposed Pad
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : PMX , PMXB6

Documentos para PMXB65UPEZ

Folhas de dados : PMXB65UPEZ.pdf

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