SQJ912AEP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Número da peça de fabricante

SQJ912AEP-T1_GE3

Número de peça interno

ABC-SQJ912AEP-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1069313 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.306105~~

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Especificações para SQJ912AEP-T1_GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SQJ912AEP-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Standard

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1835pF @ 20V

Potência - Max : 48W

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : PowerPAK® SO-8 Dual

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SQJ91 , SQJ912AE

Documentos para SQJ912AEP-T1_GE3

Folhas de dados : SQJ912AEP-T1_GE3.pdf

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