PSMN8R5-108ESQ - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Número da peça de fabricante

PSMN8R5-108ESQ

Número de peça interno

ABC-PSMN8R5-108ESQ

Fabricante

NXP USA Inc.

Descrição breve

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

46150 Pieces

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Especificações para PSMN8R5-108ESQ

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : PSMN8R5-108ESQ

Fabricante : NXP USA Inc.

Descrição : MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 108V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tj)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 111nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5512pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 263W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK

Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : PSMN , PSMN8R5

Documentos para PSMN8R5-108ESQ

Folhas de dados : PSMN8R5-108ESQ.pdf

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