TSM120N10PQ56 RLG - MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Número da peça de fabricante

TSM120N10PQ56 RLG

Número de peça interno

ABC-TSM120N10PQ56 RLG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

40378 Pieces

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Especificações para TSM120N10PQ56 RLG

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TSM120N10PQ56 RLG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição : MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 58A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3902pF @ 30V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 36W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PDFN (5x6)

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TSM12 , TSM120N1

Documentos para TSM120N10PQ56 RLG

Folhas de dados : TSM120N10PQ56 RLG.pdf

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