1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Número da peça de fabricante

1N8026-GA

Número de peça interno

ABC-1N8026-GA

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Descrição breve

DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

59368 Pieces

Preço de referência

~~USD 104.05~~

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Especificações para 1N8026-GA

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : 1N8026-GA

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descrição : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky

Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V

Atual - Média Retificada (Io) : 8A (DC)

Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 2.5A

Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns

Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 1200V

Capacitância @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote / caso : TO-257-3

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-257

Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 250°C

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : 1N8 , 1N80

Documentos para 1N8026-GA

Folhas de dados : 1N8026-GA.pdf

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