SIHD6N65ET5-GE3 - MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Número da peça de fabricante

SIHD6N65ET5-GE3

Número de peça interno

ABC-SIHD6N65ET5-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

847770 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.3861~~

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Especificações para SIHD6N65ET5-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIHD6N65ET5-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Series : E

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 78W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252AA

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIHD6 , SIHD6N6

Documentos para SIHD6N65ET5-GE3

Folhas de dados : SIHD6N65ET5-GE3.pdf

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