A2G35S200-01SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Número da peça de fabricante

A2G35S200-01SR3

Número de peça interno

ABC-A2G35S200-01SR3

Fabricante

NXP USA Inc.

Descrição breve

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

38556 Pieces

Preço de referência

~~USD 61.71792~~

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Especificações para A2G35S200-01SR3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : A2G35S200-01SR3

Fabricante : NXP USA Inc.

Descrição : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo de transistor : LDMOS

Freqüência : 3.4GHz ~ 3.6GHz

Ganho : 16.1dB

Tensão - Teste : 48V

Classificação atual : -

Figura de ruído : -

Atual - teste : 291mA

Potência : 180W

Voltagem - Rated : 125V

Pacote / caso : NI-400S-2S

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : NI-400S-2S

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : A2G35 , A2G35S2

Documentos para A2G35S200-01SR3

Folhas de dados : A2G35S200-01SR3.pdf

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