FQP19N10 - MOSFET N-CH 100V 19A TO-220

Número da peça de fabricante

FQP19N10

Número de peça interno

ABC-FQP19N10

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 19A TO-220

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

112384 Pieces

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Especificações para FQP19N10

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FQP19N10

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 100V 19A TO-220

Series : QFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±25V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 75W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3

Pacote / caso : TO-220-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FQ , FQP1

Documentos para FQP19N10

Folhas de dados : FQP19N10.pdf

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