SIB900EDK-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Número da peça de fabricante

SIB900EDK-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SIB900EDK-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2901423 Pieces

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Especificações para SIB900EDK-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIB900EDK-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Logic Level Gate

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 4.5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potência - Max : 3.1W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIB90 , SIB900ED

Documentos para SIB900EDK-T1-GE3

Folhas de dados : SIB900EDK-T1-GE3.pdf

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