NCP81075DR2G - HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-NCP81075DR2G
Fabricante
Descrição breve
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
691236 Pieces
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Especificações para NCP81075DR2G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : NCP81075DR2G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração Dirigida : High-Side or Low-Side
Tipo de canal : Independent
Número de Drivers : 2
Tipo de portão : N-Channel MOSFET
Tensão - fonte : 8.5V ~ 20V
Tensão Lógica - VIL, VIH : 0.8V, 2.7V
Corrente - Saída de pico (fonte, dissipador) : 4A, 4A
Tipo de entrada : Non-Inverting
Alta Tensão Lateral - Max (Bootstrap) : 200V
Tempo de subida / queda (Typ) : 8ns, 7ns
Temperatura de operação : -40°C ~ 140°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para NCP81075DR2G
Folhas de dados : NCP81075DR2G.pdf
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